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旅游:美光流片第四代3D闪存:全新替换栅极架构

时间:2019/10/5 15:10:12  作者:  来源:  浏览:0  评论:0
内容摘要:好光颁布发表,曾经完成第四代3D NAND闪存的初次流片,使用了齐新的交换栅极(RG)架构,并方案正在来岁投进量产。好光第四代3D闪存堆叠了最多128层,持续利用阵列下CMOS设想思绪,不外好光取Intel利用多年的浮动栅极(floating gate)换成了交换栅极(repla...
好光颁布发表,曾经完成第四代3D NAND闪存的初次流片,使用了齐新的交换栅极(RG)架构,并方案正在来岁投进量产。好光第四代3D闪存堆叠了最多128层,持续利用阵列下CMOS设想思绪,不外好光取Intel利用多年的浮动栅极(floating gate)换成了交换栅极(replacement gate),以缩小尺寸、低落本钱、提拔机能,晋级到下逐个代造制工艺也更简单。那种新架构是好光单独研收的,并出有Intel的协助,单方曾经越走越近。不外,完成流片只是好光新闪存的逐个步测验考试,好光借出有方案将任何逐个条产物线转背RG架构,临时也纷歧会带去实正的本钱低落。今朝,好光的尾要使命是扩年夜96层3D闪存的产能,来岁将其使用到各条产物线。

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